发明专利已授权

SnSb/Si多层相变薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201810684530.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-06-28

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料半导体材料薄膜材料

应用场景

相变存储器, 半导体存储器件, 光电子器件

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明提供一种Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料，其为多层复合膜结构，由Sn20Sb80层和Si层交替沉积复合而成，将一层Sn20Sb80层和一层Si层作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn20Sb80层沉积在前一个交替周期的Si层上方；所述Sn20Sb80层是以Sn20Sb80靶材通过磁控溅射法得到，所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到；所述Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn20Sb80(a)/Si(b)]x表示，其中a为单层Sn20Sb80层的厚度，a＝1nm～50nm；b为单层Si层的厚度，b＝1nm～50nm，x为Sn20Sb80层和Si层的交替周期数，x为正整数。本发明提供的Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料能够改善现有存储器的热稳定性和操作功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210209

✅ 授权

20190111

?? 实质审查的生效：

一种椰子壳肉分离机

当前第 / 件

用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

H01L45_00 覆盖1个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：47 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

SnSb/Si多层相变薄膜材料及其制备方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种制备氮碳化物复合涂层的工艺方法（需要二次变更）

一种多金属阳极自供能-多模态电致变色器件及制备方法

具有纳米晶/非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN纳米复合涂层及其制备

服务项目

资源中心

关于柿子坊