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摘 要:本发明提供一种Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料,其为多层复合膜结构,由Sn20Sb80层和Si层交替沉积复合而成,将一层Sn20Sb80层和一层Si层作为一个交替周期,后一个交替周期的Sn20Sb80层沉积在前一个交替周期的Si层上方;所述Sn20Sb80层是以Sn20Sb80靶材通过磁控溅射法得到,所述Si层是以Si靶材通过磁控溅射法得到;所述Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料的结构用通式[Sn20Sb80(a)/Si(b)]x表示,其中a为单层Sn20Sb80层的厚度,a=1nm~50nm;b为单层Si层的厚度,b=1nm~50nm,x为Sn20Sb80层和Si层的交替周期数,x为正整数。本发明提供的Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料能够改善现有存储器的热稳定性和操作功耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810684530.0 | 专利名称: | SnSb/Si多层相变薄膜材料及其制备方法 |
申请日: | 2018-06-28 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |