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摘 要:本发明公开了一种NiO紫外光电探测器及其制备方法,所述NiO紫外光电探测器包括由下至上排列的衬底、NiO薄膜、二氧化硅薄膜和金属电极,所述二氧化硅薄膜上通过光刻腐蚀出若干个凹槽,每个凹槽内竖直插设有NiO柱,所述二氧化硅薄膜的上表面涂覆有碳纳米管形成碳纳米网格,所述NiO柱的周围和碳纳米网格的上表面涂覆AlN纳米晶,并在AlN纳米晶的表面包覆金属量子点,所述金属电极溅射在AlN纳米晶的表面。本发明制备的NiO紫外光电探测器具有尺寸可控、分布均匀性好、综合性能优良的优点;采用无掩膜光刻技术,可以大幅度节约成本,相对于传统技术节省2‑10%的成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011468770.0 | 专利名称: | 一种NiO紫外光电探测器及其制备方法 |
申请日: | 2020-12-15 | 申请/专利权人 | 广西大学,五邑大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0352搜分类 探测 光电探测搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/09/26 | 授权 | |
2021/04/16 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/0352 专利申请号: 202011468770.0 申请日: 2020.12.15 |
2021/03/30 | 公开 |