发明专利已授权

一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路

📄 申请号：CN201711057698.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-11-01

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_567

IPC 分类号

G05F1_567

技术画像

所属领域

模拟集成电路模拟集成电路带隙基准电路温度补偿电路

应用场景

集成电路设计, 电源管理, 传感器信号处理, 模拟前端, 高精度电压基准

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摘要

本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20241018

?? 专利权的转移：

20191112

✅ 授权

20180424

?? 实质审查的生效：

20180330

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：6 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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