发明专利已授权

一种高阶温度补偿的带隙基准电路

📄 申请号：CN201811069122.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-09-13

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_46

IPC 分类号

G05F1_46 , G05F1_567 ,

技术画像

所属领域

带隙基准电路带隙基准电路温度补偿模拟集成电路

应用场景

电源管理, 数据转换器, 传感器, 集成电路设计, 通信设备

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摘要

本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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