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摘 要:本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路,包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压,采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压,并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压,利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿,从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811069122.0 | 专利名称: | 一种高阶温度补偿的带隙基准电路 |
申请日: | 2018-09-13 | 申请/专利权人 | 重庆邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G05F1/46搜分类 电子 电路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |