本发明属于模拟电路领域，具体涉及一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片。该方案包括：基准电压产生电路、脉宽加固电路和输出电路。其中，脉宽加固电路包括连接在基准电压产生电路中的关键节点上的两级反相器和传输管；该电路可以通过电荷耗散原理加速恢复由单粒子瞬态效应导致的基准电压产生电路的异常状态，并作为基准电压产生电路的启动电路。输出电路连接在基准电压产生电路的输出节点上，并通过施密特触发器或比较器等器件检测基准电压产生电路产生的输出信号的脉冲幅度，进而切断输出的带隙基准电压信号中超过安全阈值的部分。本发明解决了现有带隙基准电路的输出稳定性受单粒子瞬态效应影响较大，难以辐射环境下正常工作的问题。
📄 2025100687214
📂 G05F1_56
👤 安徽大学
📅 2025-01-16
本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
📄 2022101251374
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2022-02-10
本发明提供一种低噪声带隙基准电路及低压差线性稳压器，涉及集成电路技术领域，所述电路包括：温度补偿电压模块；运算放大模块，包括两个输入级三极管形成的输入级，两个输入级三极管的基极其中之一与第一电压连接端连接，另一与第二电压连接端连接；电流镜像模块，包括镜像三极管以及镜像结构单元，镜像结构单元与镜像三极管连接；电流补偿模块设置有第一电流补偿端以及第二电流补偿端，电流补偿模块与镜像三极管的基极连接，第一电流补偿端与第一电压连接端连接，第二电流补偿端与第二电压连接端连接。电流镜像模块获取输入级三极管的基极电流，电流补偿模块补偿与输入级三极管基极电流相反的电流，消除基极电流产生的影响维持基准电压的稳定。
📄 2024106842581
📂 G05F1_567
👤 华南师范大学
📅 2024-05-30
本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。
📄 2018103847342
📂 G05F3_26
👤 成都信息工程大学
📅 2018-04-26
公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本发明提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在‑75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。
📄 201810110308X
📂 G05F3_26
👤 成都信息工程大学
📅 2018-02-05
本发明提供一种自带启动电路的带隙基准电路结构，涉及电子电路技术领域，能够采用正常接法的NPN三极管设计带隙基准源，结构简洁且低成本；该电路第一、第二MOS管G极连接，S极接电源；第二MOS管G极和D极连接；第一MOS管D极与第二三极管集电极连接，第二MOS管D极与第一三极管集电极连接，第一三极管和第二三极管基极连接；两三极管发射极之间串接第一电阻，第二三极管发射极串接第二电阻后接地；第三MOS管S极与第一三极管的基极连接，D极与电源端连接，G极与第一MOS管D极连接；两三极管的两基极连接点作为基准电压输出；第一、第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管。
📄 202210610222X
📂 G05F1_56
👤 浙江创界科动科技有限公司
📅 2022-05-31
本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。
📄 2018110691220
📂 G05F1_46
👤 重庆邮电大学
📅 2018-09-13
本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极‑基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极‑基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
📄 2020100230884
📂 G05F1_567
👤 重庆邮电大学
📅 2020-01-09
柿子坊 · 知识产权运营
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