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发明专利
已授权
一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源
📄 申请号:CN202210622192.4
📄 发布日:2026/07/24
著录项目信息
申请日
2022-06-02
公开号
CN114942664A
公开日
2022-08-26
申请人
广州大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G05F1_567
IPC 分类号
G05F1_567
技术画像
所属领域
模拟集成电路
模拟集成电路
电压基准源
低功耗电路设计
应用场景
低功耗物联网设备, 便携式电子设备, 传感器电路, 数据采集系统, 工业控制设备
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摘要
本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源,其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成,其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压,以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题,同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压,实现温度补偿,该电路通过利用MOS的泄漏电流,极大程度的降低了电路的静态电流,使得电路的功耗能够达到皮瓦级,同时该电路仅利用5个MOS管,降低电路的复杂度,使得电路的最小供电电压降低至0.3V,使得电路能够适用于超低功耗的场景,同时电路的工作温度范围达到‑40℃~150℃,使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
在售
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📋 项目申报:
未申报
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权属尽调
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