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摘 要:本发明公开了一种二维拓扑绝缘体,所述二维拓扑绝缘体是以Al2O3(0001)面为衬底生长的蜂窝状III-V族化合物单层膜。本发明还公开了所述二维拓扑绝缘体的制备方法和应用。本发明的二维拓扑绝缘体,具有良好拓扑绝缘性,衬底上的原子结构也非常稳定,能在高于室温的条件下保持拓扑绝缘性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811269359.3 | 专利名称: | 二维拓扑绝缘体及其制备方法和应用 |
申请日: | 2018-10-29 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/66搜分类 拓扑绝缘体搜索 |
公开/公告日: | 2022-04-01 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109411534B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/04/01 | 授权 | |
2019/03/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/66 专利申请号: 201811269359.3 申请日: 2018.10.29 |
2019/03/01 | 公开 |