拓扑绝缘体类专利转让_商标转让

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专利名称：二维拓扑绝缘体及其制备方法和应用申请号：2018112693593 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：拓扑绝缘体相似专利发布日：2023/03/30
摘要：本发明公开了一种二维拓扑绝缘体，所述二维拓扑绝缘体是以Al2O3(0001)面为衬底生长的蜂窝状III-V族化合物单层膜。本发明还公开了所述二维拓扑绝缘体的制备方法和应用。本发明的二维拓扑绝缘体，具有良好拓扑绝缘性，衬底上的原子结构也非常稳定，能在高于室温的条件下保持拓扑绝缘性。

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