拓扑绝缘体类专利转让_商标转让

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专利名称：二维拓扑绝缘体及其制备方法和应用申请号：2018112693593 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：拓扑绝缘体相似专利发布日：2023/03/30
摘要：本发明公开了一种二维拓扑绝缘体，所述二维拓扑绝缘体是以Al2O3(0001)面为衬底生长的蜂窝状III-V族化合物单层膜。本发明还公开了所述二维拓扑绝缘体的制备方法和应用。本发明的二维拓扑绝缘体，具有良好拓扑绝缘性，衬底上的原子结构也非常稳定，能在高于室温的条件下保持拓扑绝缘性。

专利名称：拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法申请号：2014108033889 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：拓扑绝缘体相似专利发布日：2022/07/14
摘要：本发明涉及激光技术领域，尤其涉及一种拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法。该拓扑绝缘体可饱和吸收镜包括基底及镀在所述基底上的拓扑绝缘体薄膜。制备方法包括如下步骤：将基底及拓扑绝缘体靶材置于真空室；将所述拓扑绝缘体靶材表面电离化，产生所述拓扑绝缘体的等离子体，所述等离子体沉积在所述基底上形成拓扑绝缘体薄膜；控制沉积时间及/或沉积温度使所述拓扑绝缘体薄膜达到所需厚度。这种新型拓扑绝缘体可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高，适于批量生产，同时，利用这种拓扑绝缘体可饱和吸收镜的锁模光纤激光器具有高可靠性和适于成果转化的优点。

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