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摘 要:本发明涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法,该方法包括:S101、选取Si衬底;S102、刻蚀所述Si衬底形成TSV,填充后形成TSV区;S103、刻蚀所述Si衬底在所述TSV区之间形成至少一个隔离沟槽,填充后形成隔离区;S104、在所述隔离区上制备二极管;S105、在所述TSV区的第一端面与所述二极管之间形成互连线;S106、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述TSV转接板的制备。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件,解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题,增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711352521.3 | 专利名称: | 用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场(B座)第2幢1单元22层12202号房51号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/485搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2018-05-04 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107994000A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/01/12 | 授权 | |
2020/12/11 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2020.12.01 申请人由西安科锐盛创新科技有限公司变更为浙江清华柔性电子技术研究院 地址由710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场(B座)第2幢1单元22层12202号房51号变更为314000 浙江省嘉兴市南湖区浙江清华长三角研究院B座15层 |
2018/08/03 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 23/485 专利申请号: 201711352521.3 申请日: 2017.12.15 |
2018/05/04 | 公开 |