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摘 要:本发明涉及一种用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;刻蚀所述Si衬底分别形成TSV孔和隔离沟槽;填充所述隔离沟槽和所述TSV分别形成隔离区和TSV区;在所述Si衬底第一侧制备SCR管的P+控制极接触区和阴极;在所述Si衬底第二侧制备SCR管的N+控制极接触区和阳极;制备金属互连线和金属凸点。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管,增强了层叠封装芯片的抗静电能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711351142.2 | 专利名称: | 用于系统级封装的TSV转接板及其制备方法 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省嘉兴市南湖区浙江清华长三角研究院B座15层 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/768搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2021-01-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107946241B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/01/12 | 授权 | |
2020/12/11 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2020.12.01 申请人由西安科锐盛创新科技有限公司变更为浙江清华柔性电子技术研究院 地址由710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场(B座)第2幢1单元22层12202号房51号变更为314000 浙江省嘉兴市南湖区浙江清华长三角研究院B座15层 |
2018/08/03 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/768 专利申请号: 201711351142.2 申请日: 2017.12.15 |
2018/04/20 | 公开 |