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摘 要:本发明一种具有纳米级晶粒的高铌TiAl合金及其制备方法,所述方法包括步骤1,将置于惰性气体中的待处理高铌TiAl合金加热至1360~1480℃,保温2~4min后淬火;步骤2,将淬火后的高铌TiAl合金在加热炉中加热至800~1000℃,保温10‑50h后随炉冷却至室温。所述高铌TiAl合金由该方法制备得到,纳米级晶粒为ω相和γ相的等轴晶粒;相对于机械热处理方法,因ω相的存在有望使得材料的高温性能进一步改善;相对于多步热处理方法,很大程度上细化晶粒最终得到的晶粒为等轴的纳米级,其尺寸不到片层团的1/100,与机械合金化方法相比,本发明的高铌TiAl合金力学性能更加优异。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910245490.4 | 专利名称: | 一种具有纳米级晶粒的高铌TiAl合金及其制备方法 |
申请日: | 2019-03-28 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22F1/18搜分类 纳米材料 L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 2020-10-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109797314B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/10/30 | 授权 | |
2019/06/18 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C22C 14/00 专利申请号: 201910245490.4 申请日: 2019.03.28 |
2019/05/24 | 公开 |