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摘 要:本发明提供一种高稳定霍尔元件及其制备方法,该高稳定霍尔元件结构包括硬质基片、引线端、由两层或多层不同材料的薄膜堆栈组合而成的霍尔片及壳体。所述的霍尔片结构设计为对称的“十”字形结构、缺角矩形结构、四叶草结构、十字星形结构等多种不同的结构,并且半导体薄膜层由不同温度霍尔系数的材料组成。所述的引线端位于不同结构的四端,两两对称的两端分别为电流输入端和霍尔电压输出端。本发明的一种高稳定霍尔元件,由于含两层或多层不同温度霍尔系数的薄膜层,不仅具有高系数形状效应、高输出电压的特点,而且可以降低霍尔系数对温度的响应,减小温度对霍尔电压的影响,提升霍尔元件的稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611227844.5 | 专利名称: | 一种高稳定霍尔元件及其制备方法 |
申请日: | 2016-12-27 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L43/06搜分类 霍尔元件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |