发明专利已授权

一种电力电子开关器件IGBT高频模型寄生参数的获取方法

📄 申请号：CN201510122065.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-03-19

公开号

CN104764987B

公开日

2017-06-20

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R31_26

IPC 分类号

G01R31_26

技术画像

所属领域

电子开关器件电力电子器件半导体器件建模寄生参数提取电子开关器件

应用场景

新能源汽车, 工业自动化, 智能电网, 储能系统, 电机驱动

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摘要

本发明公开了一种电力电子开关器件IGBT高频模型寄生参数的获取方法，将实际电路中开关器件的高频EMI特性与仿真电路中开关器件的高频EMI特性进行对比，然后采用粒子群算法对所建立仿真电路的开关器件模型寄生参数进行优化调整，使得仿真电路中开关器件的高频EMI特性与实际电路中开关器件的高频EMI特性达到一致，因此，本发明的方法可以准确建立高精度、高性能的仿真模型，进而可以有效的指导实际电路的研发，在研发实际电路过程中大大降低了返工几率，缩短了制作周期，降低了制作成本。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20170620

✅ 授权

20150805

?? 实质审查的生效：

20150708

📄 公开

一种制备片状SmS-CrS2层间不匹配化合物的方法

当前第 / 件

基于多目标头脑风暴的圆盘剪重叠量参数调整方法

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