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摘 要:本发明提出了一种具有双电场调制效应的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(Super junction LDMOS SJ-LDMOS)。该器件中,超结漂移区的缓冲层与沟道之间以外延层突起的结构形成间隔,使得缓冲层边缘对靠近沟道的超结漂移区电场产生调制作用;超结漂移区中P柱的长度短于N柱,即P柱与漏区保持距离,避免P柱与漏区连接产生的高峰电场,并且使得P柱边缘对靠近漏区的超结漂移区电场产生调制作用。这样,利用超结漂移区下方的部分缓冲层和漂移区上部分P柱的结构对器件的漂移区进行两处电场调制,使得器件表面的电场分布趋于均匀,在保证器件低导通电阻的条件下,大幅度提高了器件的击穿电压。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510267181.9 | 专利名称: | 一种具有双电场调制的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管 |
申请日: | 2015-05-22 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |