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摘 要:本发明提供了一种半导体封装结构及其制造方法。本发明利用环形围墙的斜面和芯片的斜面形成具有两个对电极的倾斜型电容结构,该电容结构电连接所述芯片,在保证去耦的同时,不占用芯片的正上方空间。并且,在制造过程中,一步形成多个导电结构,且还形成芯片背面的散热金属层,便于后续继续电镀形成散热金属块以保证芯片的散热。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011396499.4 | 专利名称: | 一种半导体封装结构及其制造方法 |
申请日: | 2020-12-03 | 申请/专利权人 | 山东砚鼎电子科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市历城区工业北路58号恒大城H栋1-2302 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/50搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/08/09 | 授权 | |
2022/07/19 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2022.07.06 申请人由山东砚鼎电子科技有限公司变更为深圳卓斌电子有限公司 地址由250000 山东省济南市历城区工业北路58号恒大城H栋1-2302变更为518000 广东省深圳市龙华区民治街道大岭社区安宏基天曜广场1栋A座13A01 |
2021/03/19 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/50 专利申请号: 202011396499.4 申请日: 2020.12.03 |
2021/03/02 | 公开 |