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摘 要:本发明提供了一种多孔铜基晶须材料的制备方法,通过化学‑电化学腐蚀去合金的方法获得高比表面积多孔铜,然后通过脉冲激光烧灼硫化钨的方法,在多孔的表面获得硫化钨层,并通过改善高温还原过程的时间和温度,有效控制铜晶须在多孔铜表面的原位生长的速度和尺寸,有效的提高多孔铜的比表面积。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011113775.1 | 专利名称: | 一种多孔铜基晶须材料的制备方法 |
申请日: | 2020-10-17 | 申请/专利权人 | 左海珍 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 内蒙古自治区包头市九原区金沙华府4栋楼2单页2楼东户 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/62搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/12/09 | 授权 | |
2021/01/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 29/62 专利申请号: 202011113775.1 申请日: 2020.10.17 |
2020/12/22 | 公开 |