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24小时咨询热线摘 要：本发明涉及一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，从下至上依次包括Au电极、P‑Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。本发明采用POSS作为溶液添加剂，同时也作为CdTe/CdS QDs与ZnO之间的空穴阻挡层，维持量子点的荧光，提高成膜质量，进而提高器件性能。本发明采用P‑Si为衬底，以其作为空穴注入层，有利于实现大面积的光电集成。把不同长径比的金纳米棒嵌入P‑Si/PVK/CdTe/CdS QDs/POSS/ZnO结构的QLED中，利用金纳米棒表面的局域表面等离激元与发光二极管电致发光的相互耦合作用，能够明显提升器件的性能。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201810659444.4 | 专利名称： | 基于CdTe/CdS量子点的发光二极管及其制备方法 |
| 申请日： | 2018-06-22 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学通达学院,扬州工业职业技术学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省扬州市邗江区润扬南路33号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L51/50搜分类 电子元器件 发光二极管 C CD 电子设备和元器件 CdTe搜索 |
| 公开/公告日： | 2020-12-25 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN108832014B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2020/12/25 | 授权 | |
| 2018/12/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 51/50 专利申请号: 201810659444.4 申请日: 2018.06.22 |
| 2018/11/16 | 公开 |
