一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法

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摘     要：本发明公开一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，依次包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，P型氮化物半导体，V‑pits侧壁的偏振光控制层，其特征在于多量子的V‑pits侧壁具有偏振光控制层，该偏振光控制层由SiNx/MgNy或MgNy/SiNx形成的多周期超晶格核壳结构的量子点构成，具有双重偏振光调制功能：SiNx/MgNy或MgNy/SiNx形成多重偏振光转换界面，使TM偏振光在界面处转换为TE偏振光，同时，该偏振光控制层调控量子阱的价带顶能带排序，使量子阱的价带顶能带排序从晶体场分裂能CH带占据价带顶第一子带位置变成重空穴HH带占据价带顶第一子带位置，提升TE偏振光的出射比例，降低TM偏振光比例，从而，提升深紫外半导体发光二极管的光提取效率和外量子效率。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2022/05/06	专利权的转移	登记生效日: 2022.04.24 专利权人由厦门利标科技有限公司变更为扬州方通电子材料科技有限公司 地址由361006 福建省厦门市湖里区兴隆路501号第四层F单元之13变更为225600 江苏省扬州市高邮经济开发区凌波路86号
  2019/07/05	授权
  2018/04/03	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 33/00 专利申请号: 201711009569.4 申请日: 2017.10.25
  2018/03/09	公开