发明专利 已授权

一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺

📄 申请号:CN201610058234.0 📄 发布日:2026/11/03

著录项目信息

申请日
2016-01-28
公开号
CN105679928B
公开日
2018-01-09
申请人
济南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

温差发电, 热电制冷, 工业余热回收, 能源转换, 电子器件热管理

摘要

本发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺,该合金电极为Ti‑Ni合金,不仅电导率和热导率高,本发明提供的Ti‑Ni合金与Cu2SnSe3基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结(RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti‑Ni合金电极烧制而成,不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定,且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单,非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备,可用于大批量生产制备。

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L35_04)

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