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本发明一种Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜，光吸收良好，电阻率低，导电性能优异，其制备方法效率高，制得薄膜质量好。所述制备方法，包括如下步骤，步骤1，制备前驱体溶液；分别制备Se2-离子水溶液和加入氧化石墨烯水溶液的Sn2+离子水溶液；步骤2，薄膜沉积；在室温下，将清洗后的基片放置在沉积容器中，将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2-离子水溶液加入到沉积容器中，20min后取出基片，用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积；反复沉积5–10次得到沉积薄膜；步骤3，薄膜晶化；沉积薄膜在100℃下干燥1h，或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜。

本发明提供一种Bi0.67Sb1.33S3/PEDOT@LA复合材料，其特征在于，所述复合材料的结构为在中空的聚3,4‑乙烯二氧噻吩网络上包覆有一层有机物硫辛酸，并负载有硫化锑铋纳米颗粒。与现有技术相比，本发明制备的Bi0.67Sb1.33S3/PEDOT@LA复合材料的中空的PEDOT网络能够提供较快的传质与传荷路径，缓解Bi0.67Sb1.33S3在脱嵌钾过程中的体积变化，提高了电极的循环稳定性；硫辛酸通过氢键与PEDOT连接，形成动态自适应储能界面，硫辛酸中的二硫键在电池充电过程中会发生原位聚合，提高了材料的结构稳定性与K+存储容量。

本发明公开了一种硫化亚铜复合碳化硅块体热电材料的制备方法。其包括如下步骤：（1）在加热条件下，将硫代乙酰胺的二乙二醇溶液滴加到铜盐的二乙二醇溶液中，滴加完毕后，继续保温反应，反应结束后，自然冷却至室温、离心分离、干燥，得到硫化亚铜纳米粉末；（2）称取硫化亚铜纳米粉末和碳化硅粉末加入球磨罐中，再把球磨罐放入星式球磨机中进行球磨，球磨结束后取出样品进行研磨，得到复合粉末；（3）将复合粉末进行真空热压成型，得到硫化亚铜复合碳化硅块体材料。本发明采用化学沉淀法制备硫化亚铜纳米粉末，工艺简单，原料来源广泛；本发明制备硫化亚铜复合碳化硅块体热电材料，将硫化亚铜和碳化硅复合时，球磨速度适中，安全可靠。

一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法，涉及一种热电材料调控方法，属于新能源材料领域，本发明方法解决现有技术中晶界结构和化学性质随着温度、压力和化学势等热力学参数的变化产生不连续地变化等问题。该方法包括以下过程：第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材，采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn为原料，采用蒸发技术，在n型Bi2Te3薄膜的表面镀上Sn。第三步采用保护气退火炉对镀Sn后的n型Bi2Te3在高温下退火后，随炉冷却，以获得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本发明方法为低温发电微型器件的性能优化提供高性能、低成本、设备简单、工艺简单、操作易控、性能均匀、稳定的优化工艺方案。