发明专利已授权

一种具有雪崩过流能力的GaN功率半导体器件

📄 申请号：CN202411256930.3 📄 发布日：2026/10/20

著录项目信息

申请日

2024-09-09

公开号

CN119300393B

公开日

2025-10-03

申请人

电子科技大学, 电子科技大学广东电子信息工程研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_47

IPC 分类号

H10D30_47 , H10D62_824 , H10D62_854 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件氮化镓功率器件雪崩耐量结构

应用场景

新能源汽车, 储能系统, 数据中心, 工业自动化, 消费电子

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间施加正向偏压，器件上方横向GaN结构导通，有电流通过，下方垂直GaN结构反偏，几乎无电流。当器件处于反向耐压状态时，上方横向GaN结构无导通电流，下方垂直GaN结构反偏同样无导通电流。随着漏源之间电压一直增加，下方垂直GaN结构发生雪崩击穿，反向耐压下电流主要通过下方GaN垂直结构从漏极流向源极，从而使本发明的新型GaN功率半导体器件具有雪崩击穿，并且相较于传统PGaN栅GaN HEMT器件耐压有所提升。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN119300393B

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件

当前第 / 件

一种可验证的联邦学习智慧医疗隐私保护系统及方法

同领域国内专利 · IPC: (H10D30_47)

H10D30_47 H10D30_60 H10D30_65 H10D30_66 覆盖4个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：6 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

© 2026 柿子坊知识产权运营平台 | 保留所有权利