发明专利已授权

一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件

Name: 一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件
Brand: 电子科技大学, 电子科技大学广东电子信息工程研究院
SKU: 2024112569290
Availability: InStock

📄 申请号：CN202411256929.0 📄 发布日：2026/10/20

著录项目信息

申请日

2024-09-09

公开号

CN119545840B

公开日

2025-11-21

申请人

电子科技大学, 电子科技大学广东电子信息工程研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D30_47

IPC 分类号

H10D30_47 , H10D62_13 ,

技术画像

所属领域

氮化镓功率器件氮化镓功率器件功率半导体器件半导体器件结构

应用场景

电源管理, 功率转换, 新能源汽车, 光伏逆变, 工业电源

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摘要

本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种水剂型铝粉膏定点检测取样装置

当前第 / 件

一种具有雪崩过流能力的GaN功率半导体器件

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