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本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。