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全部发明实用新型外观设计

法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

发明已授权

本发明涉及一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P型埋层、普通MOS区、自偏置PMOS区以及阳极区。衬底、埋氧层、漂移区自下而上依次设置，P型埋层设置在漂移区内，被漂移区完全包裹。普通MOS区与自偏置PMOS区相邻，阳极区位于器件的右上侧。本发明通过集成自偏置PMOS区域能够在阳极电压增加时，降低器件的饱和电流；在器件关断时降低器件的关断损耗；在短路工作时提高器件的短路工作特性。

📄 2022113184775 📂 H10D12_00 👤 重庆邮电大学 📅 2022-10-26

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一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件

2022113184775 · 重庆邮电大学

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