发明专利已授权

NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列及其制备方法和室温气体传感器

📄 申请号：CN202411934423.0 📄 发布日：2026/08/07

著录项目信息

申请日

2024-12-26

公开号

CN119349655A

公开日

2025-01-24

申请人

江西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G53_04

IPC 分类号

C01G53_04 , G01N27_12 , C23C18_14 , C01G15_00 , B82Y40_00 , B82Y30_00 , B82Y15_00 ,

技术画像

所属领域

纳米半导体材料纳米半导体材料异质结结构气体传感器

应用场景

环境空气质量监测, 工业有毒气体检测, 智能家居气体报警, 可穿戴健康监测, 呼气分析诊断

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列及其制备方法和室温气体传感器。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列；NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列由NiO多孔纳米片、Ag纳米颗粒和ZnIn2S4纳米片构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，Ag纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面，ZnIn2S4纳米片包裹住NiO多孔纳米片。本发明的制备过程简单，成本低，NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列具有良好的异质界面接触，Ag纳米颗粒的存在促进了NiO与ZnIn2S4之间的电子转移，ZnIn2S4的包裹增加了材料的比表面积。NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列可以应用在室温气体传感器中，具体在白光激发下三乙胺的室温高选择性检测。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于fA～pA量级微弱电流的绝缘薄膜测量系统

当前第 / 件

一种OLED模组及失效减少的OLED模组灯具

同领域国内专利 · IPC: (C01G53_04)

C01G53_00 C01G53_04 C01G53_08 C01G53_09 C01G53_10 C01G53_11 C01G53_44 覆盖7个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：18 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)