发明专利已授权

一种化学预处理和介电泳协同作用的碳化硅平面抛光方法和装置

📄 申请号：CN201910477762.3 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-06-03

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B31_116

IPC 分类号

B24B31_116 , B24B31_12 , C30B33_00 , C30B29_36 ,

技术画像

所属领域

半导体晶圆抛光半导体晶圆抛光介电泳技术碳化硅材料加工

应用场景

半导体晶圆制造, 碳化硅功率器件, 集成电路衬底加工, 第三代半导体器件

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摘要

本发明公开一种化学预处理和介电泳协同作用的碳化硅平面抛光方法和装置，能够解决碳化硅平面抛光不均匀的问题。该方法先利用芬顿反应对待抛光工件进行预处理，在其表面生成二氧化硅腐蚀层，降低工件表面的硬度，再将其放置在一个静止的过流腔体内，并在过流腔体内施加非均匀电场将磨粒极化，导致磨粒受力不均匀而向工件表面发生移动聚集，以提高材料去除率。磨粒流在非均匀电场作用下对芬顿预处理的待抛光工件的平面进行抛光，达到高效均匀抛光的效果。本发明的抛光方法抛光的工件表面均匀、表面粗糙度低、表面质量高、加工效率高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201023

✅ 授权

20190924

?? 实质审查的生效：

20190830

📄 公开

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