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本发明属于量子点发光二极管技术领域，具体涉及一种基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法，所述串联量子点发光二极管基于所述制作方法制作，包括底部器件和顶端器件，所述底部器件包括从下往上依次层叠设置的阴极、第一电子注入层、第一量子点发光层、第一空穴传输层和第一空穴注入层，所述顶端器件包括从下往上依次层叠设置的第二电子注入层、第二量子点发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层和阳极，所述底部器件的第一空穴注入层与顶端器件的第二电子注入层层叠设置，所述第一空穴注入层采用PEDOT:PSS‑GO溶液制成，所述第二电子注入层采用含有ZnMgO的溶液制成。本发明提出了一种提高溶液加工量子点发光二极管性能的有效方法。

本发明公开了一种倒置QLED器件及其制备方法，属于发光二极管技术领域，该倒置QLED器件为平面层状多膜层结构，平面层状多膜层从下到上分别为：ITO玻璃、电子传输层、分散的硅氧烷化合物纳米结构、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阴极；其中，硅氧烷化合物纳米结构为周期性分布的条状结构或非周期性分布的岛状结构。本发明的一种倒置QLED器件的制备方法，在基于溶液法旋涂成膜，操作方便，无需依赖大型设备，并且硅岛结构的引入，在一定温度(室温)、湿度的环境下即可水解，不需要借助于手套箱等。