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发明专利
已授权
一种新型对数绝对值局部有源忆阻器电路模型
📄 申请号:CN201910515122.7
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2019-06-14
公开号
CN110245421A
公开日
2019-09-17
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G06F17_50
IPC 分类号
G06F17_50
技术画像
所属领域
忆阻器电路模型
忆阻器电路模型
非线性电路
集成电路设计
应用场景
神经形态计算, 存储器件, 混沌电路, 模拟电路设计, 人工智能硬件
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摘要
本发明公开了一种新型对数绝对值局部有源忆阻器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1和乘法器U8分别连接输入端;集成运算放大器U1用于实现反相加法运算和积分运算,将输出信号再返回到乘法器U5,集成运算放大器U2用于实现反相放大运算,将输出信号返回到集成运算放大器U1,最终求得控制忆导值的状态变量。集成运算放大器U3用于实现反相加法运算、反向放大运算和绝对值运算,集成运算放大器U4用于实现对数运算、反向放大运算,得到需要的忆导控制函数,乘法器U8实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘,得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性,替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种聚乙烯亚胺/水杨醛改性纤维素材料及其制备方法和应用
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