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一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置

📄 申请号：CN202010128429.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-02-28

公开号

CN111257077B

公开日

2023-06-02

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N1_28

IPC 分类号

G01N1_28 , G01N1_44 ,

技术画像

所属领域

离子束加工技术离子束加工技术纳米材料制备铌酸锂光电子材料

应用场景

光通信器件, 集成光学, 光学存储, 非线性光学器件, 微纳光子学

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摘要

本发明一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置。本发明方法为：1）将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；2）将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10‑3Pa；通入高纯度99.999%惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10‑2 Pa到8×10‑2Pa；3）设置样品台旋转速度、开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照，样品台的转速为6~80转/分钟；4）将辐照后的铌酸锂晶体置于高温炉中进行温度80~350℃，时间0.2~3小时的热处理。本发明利用离子轰击在样品表面诱导形成自组织纳米点畴结构，并且可以通过调控离子束参数来控制所获得的纳米畴结构的特征。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种离子束辐照制备铌酸锂纳米畴结构的方法和装置

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