发明专利已授权

一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法

📄 申请号：CN202110361789.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-04-02

公开号

CN113193111B

公开日

2023-04-07

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N50_10

IPC 分类号

H10N50_10 , H10N50_85 , H10N50_01 , H10N70_00 ,

技术画像

所属领域

人工突触人工突触神经形态计算锰氧化物功能材料

应用场景

类脑芯片, 神经形态计算, 人工智能硬件, 智能传感器, 边缘计算

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摘要

本发明公开了一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法，包括以下步骤：(1)依次将金属、阻变层和钙钛矿锰氧化物沉积于衬底上，形成模拟突触功能的元器件；(2)金属作底电极，钙钛矿锰氧化物生长的圆柱型阵列作顶电极，或者在钙钛矿锰氧化物薄膜上生长一层金属作顶电极；(3)对元器件施加外场，对钙钛矿锰氧化物薄膜的氧离子的迁移和分布进行调控。该方法利用具有优异电磁特性的忆阻异质结，在电致电阻效应的基础上，对阻变单元阵列加以外场调控，获得多场诱导的多重电阻态，再通过外场调控阻变单元中氧离子的迁移，模拟突触的强度分布和可塑性，构建人工突触。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

Ce3+掺杂的硅酸盐基绿色荧光粉及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种适用于多制式基站的多频天线阵列

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2021104618111 · 电子科技大学

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