本发明公开了一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法，包括以下步骤：(1)依次将金属、阻变层和钙钛矿锰氧化物沉积于衬底上，形成模拟突触功能的元器件；(2)金属作底电极，钙钛矿锰氧化物生长的圆柱型阵列作顶电极，或者在钙钛矿锰氧化物薄膜上生长一层金属作顶电极；(3)对元器件施加外场，对钙钛矿锰氧化物薄膜的氧离子的迁移和分布进行调控。该方法利用具有优异电磁特性的忆阻异质结，在电致电阻效应的基础上，对阻变单元阵列加以外场调控，获得多场诱导的多重电阻态，再通过外场调控阻变单元中氧离子的迁移，模拟突触的强度分布和可塑性，构建人工突触。
📄 2021103617893
📂 H10N50_10
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-02
本发明公开了一种基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法。本发明从上到下依次为保护层、薄膜层、缓冲层，并在四周设有电极。其中保护层、薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层从下到上由Pt、Co、Pt、Co、Pt、Co、MgO结构构成，其中最下层的Pt和最上层的Co为楔形结构。在沿着垂直楔形层变化方向通入的调控电流Is，器件另外两电极检测薄膜层的电阻值的变化，当连续通入同一方向脉冲电流时电阻会连续改变至极值。本发明可以通过电流调控，实现高效存储。
📄 2021114456772
📂 H10N50_10
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-11-30
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