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一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列；S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355～375nm的光脉冲，产生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510～530nm的光脉冲，使斯格明子态不能稳定存在，回复为铁磁态。本发明还提供一种磁性斯格明子的写入及擦除装置，包括磁性多周期膜、光致应变衬底和光诱导单元。本发明的方法和装置产生和擦除斯格明子消耗的能量较低，器件稳定性强，有利于器件微型化发展。

本发明公开了一种利用针尖电场在铁电薄膜中构建周期性条带畴的方法，属于微纳结构技术领域，通过脉冲激光沉积技术生长铁酸铋薄膜，低氧压的生长条件保证了薄膜中含有缺陷，利用的电场，是在压电力显微镜的针尖上施加偏压产生的针尖电场；薄膜中的面外、面内极化在针尖电场作用下同时翻转、重新定向，形成纳米尺度的高密度周期性条带畴；构建的条带畴具有良好的稳定性，可用于高密度铁电随机存取存储器。本发明使用的制备方法，脉冲激光沉积技术成熟，基于扫描探针显微镜的矢量压电力显微技术操作简单，具备很好的实用性。