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本发明公开了一种多功能突触仿生器件及其制备方法，从下至上依次包括栅极、硅衬底层及二氧化硅薄膜层，二氧化硅薄膜层的上表面分别设有第一中间电极及第二中间电极，该两电极通过二氧化钛纳米线相连接，第一中间电极及第二中间电极的上表面分别设有源极及漏极，该源极及漏极将第一中间电极及第二中间电极上的二氧化钛纳米线覆盖；制备时依次设置各层即可。本发明的突触仿生器件通过采用单根二氧化钛纳米线作为阻变单元，结构简单，功耗低，易于集成，且二氧化钛纳米线与电极可靠接触，器件性能稳定，能够模拟多种突触功能；同时，其制备方法简单，可操作性强。

本发明涉及信息存储技术领域，更具体的是涉及一种全透明非线性选择器的制备方法，包括以下步骤：S1：对衬底进行表面清洗后待用；S2：配置氧化物的前驱体溶液置于烧杯中并充分搅拌；S3：向烧杯中加入成分调节剂并充分搅拌溶液；S4：将S3中得到的溶液旋涂在衬底上并用紫外光照射后得到中间层；S5：在中间层上生长电极层，完成制备。本发明通过在中间层的制备过程中引入成分调节剂来控制中间层组分，借助紫外光诱导前驱体溶液成膜。该实验过程在室温、常压下即可进行，相对于现有的非线性选择器制备方法具有操作简单、对设备的要求低、易于重复试验、兼容性强等优点，可作为制备透明非线性选择器的理想方法。

本发明公开了一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用，该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO2层，在纳米量级复合而成，其结构符合下列通式：[ZnSb(a)/SiO2(b)]x，本发明的ZnSb/SiO2复合相变薄膜材料利用复合结构的特殊性，减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗；利用复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗，再次，柔性PET衬底的使用可以改变相变材料的柔性度，获得具有市场前景的柔性相变薄膜。

本发明提供一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，所述纳米相变存储薄膜材料化学表达式为YxSb(1‑x)，其中0.01

📄 2021105490191 📂 H10N70_00 👤 江苏理工学院 📅 2021-05-20

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