发明专利已授权

一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法

📄 申请号：CN202110686445.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-06-21

公开号

CN113551815B

公开日

2023-02-24

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01L1_22

IPC 分类号

G01L1_22

技术画像

所属领域

压力传感器压力传感器传感器芯片微机电系统（MEMS）

应用场景

工业自动化, 汽车电子, 液压系统, 石油化工, 航空航天

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摘要

本发明公开了一种压力传感器芯片和耐高压压力传感器及其制造方法。该压力传感器芯片，其包括玻璃衬底、焊盘组件和硅压力应变器。焊盘组件设置在玻璃衬底上，包括第一焊盘和第二焊盘。两个硅压力应变器均安装在玻璃衬底上，且分别位于焊盘组件的两侧。硅压力应变器包括硅应变片和P型压阻片。硅应变片上并排安装有多条P型压阻片。相邻两条P型压阻片的相同端电连接，使得各条P型压阻片依次串联。两个硅压力应变器通过第一焊盘串联，并通过两个第二焊盘分别引出信号线。本发明利用玻璃耐高电压特性及其和硅键合后的稳定性，提高了压力传感器的耐高压性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

适用于TX2嵌入式平台的水产品目标实时检测方法

当前第 / 件

一种轧制制备高性能Al-Cu-Al复合材料的方法

同领域国内专利 · IPC: (G01L1_22)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：25 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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