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一种基于激光激励纵波测量亚表面缺陷深度的方法

Name: 一种基于激光激励纵波测量亚表面缺陷深度的方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2021116275146
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111627514.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-12-28

公开号

CN114295731B

公开日

2023-02-21

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N29_07

IPC 分类号

G01N29_07 , G01N29_34 , G01N29_24 ,

技术画像

所属领域

无损检测无损检测激光超声检测缺陷检测

应用场景

工业无损检测, 材料质量检测, 亚表面缺陷评估, 精密制造检测

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摘要

本发明公开了一种基于激光激励纵波测量亚表面缺陷深度的方法。其步骤为：1)将脉冲激光器探头置于工件亚表面缺陷的一侧，与亚表面缺陷相距d1；2)将激光测振仪放置在工件亚表面缺陷的另一侧；3)利用激光测振仪接收模态转换表面波R1；4)将脉冲激光器探头向亚表面缺陷移动，使探头与亚表面缺陷距离为d2；5)利用激光测振仪接收模态转换表面波R2；6)通过模态转换波R1和R2的到达时间和距离d1与d2，计算纵波声速和亚表面缺陷的深度。本发明能够用于超精密加工在位检测和其他一些高温高压等特殊环境中的亚表面缺陷深度的检测。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114295731B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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2025109489350 · 成都农业科技职业学院

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