发明专利已授权

一种高深宽比光刻胶图形处理方法

📄 申请号：CN202010302902.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-04-17

公开号

CN111399349A

公开日

2020-07-10

申请人

淮北师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G03F7_40

IPC 分类号

G03F7_40

技术画像

所属领域

光刻工艺光刻工艺半导体制造工艺微纳加工

应用场景

集成电路制造, 半导体芯片制造, 微机电系统, 先进封装

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摘要

本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法，基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连，将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属-氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，用时很短，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属-氧化学键，不会引入新污染。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

S掺杂缺陷态固溶体的制备方法及在光催化固氮反应中的应用

当前第 / 件

一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法

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