发明专利已授权

一种铜锡硫

Name: 一种铜锡硫
Brand: 西北师范大学
SKU: 2022103862404
Availability: InStock

📄 申请号：CN202210386240.4 📄 发布日：2026/10/09

著录项目信息

申请日

2022-04-13

公开号

CN114759140A

公开日

2022-07-15

申请人

西北师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_40

IPC 分类号

H01L51_40 , H01L51_30 , H01L51_05 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

非易失性存储器, 神经形态计算, 类脑芯片, 存算一体, 人工智能硬件

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摘要

本发明提供一种铜锡硫(CTS)忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114759140A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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