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一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置

Name: 一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法及装置
Brand: 华南师范大学
SKU: 2021114286555
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111428655.5 📄 发布日：2026/09/11

著录项目信息

申请日

2021-11-29

公开号

CN114335332B

公开日

2025-09-05

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N50_01

IPC 分类号

H10N50_01 , G11C11_15 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

磁性随机存储器, 赛道存储器, 自旋逻辑器件, 数据存储, 自旋电子器件

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摘要

一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列；S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355～375nm的光脉冲，产生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510～530nm的光脉冲，使斯格明子态不能稳定存在，回复为铁磁态。本发明还提供一种磁性斯格明子的写入及擦除装置，包括磁性多周期膜、光致应变衬底和光诱导单元。本发明的方法和装置产生和擦除斯格明子消耗的能量较低，器件稳定性强，有利于器件微型化发展。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114335332B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

GreAtt特征描述方法

当前第 / 件

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