发明专利已授权

一种量子点电吸收调制器及其制备方法

Name: 一种量子点电吸收调制器及其制备方法
Brand: 江苏师范大学
SKU: 2024119572434
Availability: InStock

📄 申请号：CN202411957243.4 📄 发布日：2026/05/09

著录项目信息

申请日

2024-12-29

公开号

CN119758617B

公开日

2025-09-26

申请人

江苏师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02F1_017

IPC 分类号

G02F1_017 , G02F1_015 ,

技术画像

所属领域

光电子器件光电子器件量子点技术电吸收调制器

应用场景

光通信, 数据中心, 光互连, 高速光模块, 量子信息

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摘要

本发明公开了一种量子点电吸收调制器及其制备方法，该电吸收调制器从下至上依次包括N接触电极层、InP衬底、InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层、多周期InAs量子点有源层、InGaAsP上分别限制层、InP间隔层、InP盖层、InGaAs接触层及P接触电极层。在InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层及多周期InAs量子点有源层的两侧分布InP半绝缘层，在InGaAsP上分别限制层、InP间隔层的两侧分布InP阻挡层，在P电极两侧分布BCB层。本发明的电吸收调制器能够在更低偏压下具有更大的消光比的同时，提高其带宽。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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