发明专利已授权

一种量子点电吸收调制器及其制备方法

📄 申请号：CN202411957243.4 📄 发布日：2026/05/09

著录项目信息

申请日

2024-12-29

公开号

CN119758617B

公开日

2025-09-26

申请人

江苏师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02F1_017

IPC 分类号

G02F1_017 , G02F1_015 ,

技术画像

所属领域

光电子器件光电子器件量子点技术电吸收调制器

应用场景

光通信, 数据中心, 光互连, 高速光模块, 量子信息

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摘要

本发明公开了一种量子点电吸收调制器及其制备方法，该电吸收调制器从下至上依次包括N接触电极层、InP衬底、InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层、多周期InAs量子点有源层、InGaAsP上分别限制层、InP间隔层、InP盖层、InGaAs接触层及P接触电极层。在InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层及多周期InAs量子点有源层的两侧分布InP半绝缘层，在InGaAsP上分别限制层、InP间隔层的两侧分布InP阻挡层，在P电极两侧分布BCB层。本发明的电吸收调制器能够在更低偏压下具有更大的消光比的同时，提高其带宽。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种断路器生产检测装置

当前第 / 件

柔性X射线成像传感器标定方法及系统、成像方法及系统

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G02F1_00 G02F1_01 G02F1_015 G02F1_017 G02F1_025 G02F1_03 G02F1_035 G02F1_065 G02F1_09 G02F1_13 G02F1_133 G02F1_1333 G02F1_1334 G02F1_1335 G02F1_13357 G02F1_1337 G02F1_1339 G02F1_1341 G02F1_1343 G02F1_1345 G02F1_1347 G02F1_137 G02F1_15 G02F1_1503 G02F1_1506 G02F1_1514 G02F1_1516 G02F1_1524 G02F1_153 G02F1_155 G02F1_1677 G02F1_17 G02F1_21 G02F1_225 G02F1_29 G02F1_33 G02F1_35 G02F1_355 G02F1_365 G02F1_39 覆盖40个领域

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