本发明公开了一种量子点电吸收调制器及其制备方法,该电吸收调制器从下至上依次包括N接触电极层、InP衬底、InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层、多周期InAs量子点有源层、InGaAsP上分别限制层、InP间隔层、InP盖层、InGaAs接触层及P接触电极层。在InP缓冲层、InGaAsP下分别限制层及多周期InAs量子点有源层的两侧分布InP半绝缘层,在InGaAsP上分别限制层、InP间隔层的两侧分布InP阻挡层,在P电极两侧分布BCB层。本发明的电吸收调制器能够在更低偏压下具有更大的消光比的同时,提高其带宽。
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📂 G02F1_017
👤 江苏师范大学
📅 2024-12-29