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本发明提供了一种可用于单向光学隐身的多层电介质结构，属于光学隐身器件技术领域。多层电介质结构包括两个呈宇称‑时间对称分布的Thue‑Morse(图厄‑摩尔斯，T‑M)序列，T‑M序列SN的迭代规则为：S1＝A，N＝1；S2＝AB，N＝2；SN＝SN‑1(A→AB，B→BA)，N≥3，其中SN‑1中的A→AB表示A由AB代替，B→BA表示B由BA代替，N表示序列的序号，SN表示序列的第N项；A为第一电介质层；B为第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片，当某波长值的入射光从一侧入射，通过多层电介质结构反射后的反射光强为零，而该波长的光波从另一侧入射时，反射光强不为零，从而实现该波长值的入射光的单向隐身；改变增益‑损耗因子可实现对隐身波长的调控。

本发明涉及手性结构技术领域，具体涉及一种手性信号调控装置，包括基底层、导光层、腔壁、手性结构、水溶液、聚苯乙烯小球、凸起；导光层置于基底层上，腔壁置于导光层的四周并围成容器；在容器内，凸起周期性分布在导光层上；手性结构置于凸起的顶面上；水溶液置于容器内，聚苯乙烯小球置于水溶液内。本发明利用光泳现象，改变聚苯乙烯小球在手性结构附近的位置，改变手性结构附近的介电环境，从而实现手性信号调控。相比于应用相变材料，本发明具有手性信号调控幅度大的优点，在手性信号调控领域具有良好的应用前景。