发明专利已授权

一种Si5C3微纳米材料及其制备方法

📄 申请号：CN202111453275.7 📄 发布日：2026/08/20

著录项目信息

申请日

2021-11-30

公开号

CN113979439B

公开日

2022-12-20

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B32_97

IPC 分类号

C01B32_97 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

锂离子电池电极材料, 半导体材料, 超硬材料, 陶瓷基复合材料

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摘要

本发明提供一种Si5C3微纳米材料及其制备方法，属于微纳米材料合成领域。以氧化硅粉为硅源，以腐植酸碳源，添加氯化钠等辅助试剂于管式炉中加热到500‑700℃，然后直接冷却或保温后冷却至室温，最后经除杂干燥制得Si5C3纳米粒子组装的微米片。该种方法产率高，反应温度低，反应时间短，节约能源，可重复性好，操作简单、无污染、辅助反应的反应物和生成物易清除，有利于该类Si5C3微纳米材料的大量生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种硅纳米线阵列及其制备方法

当前第 / 件

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议价

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