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一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路

Name: 一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2023100897529
Availability: InStock

📄 申请号：CN202310089752.9 📄 发布日：2026/10/08

著录项目信息

申请日

2023-01-16

公开号

CN115985367B

公开日

2026-03-20

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G11C13_00

IPC 分类号

G11C13_00 , G11C16_04 , G06F30_367 ,

技术画像

所属领域

忆阻器忆阻器神经形态计算仿生电路

应用场景

类脑计算, 人工智能, 神经形态芯片, 存算一体, 智能感知

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摘要

本发明涉及一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路，包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2、第一NMOS晶体管T3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一压控开关S1、第一与非门NAND、第一运算放大器OP1、第一比较器COMP1，模拟食物信号输入端Vfood、模拟铃声信号输入端Vring、第一定值电压V1、第二定值电压V2、第一比较电压Vth。该电路通过模拟食物信号输入端Vfood和模拟铃声信号输入端Vring控制第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2和第一NMOS晶体管T3的开/关状态，来调节第一忆阻器M1和第二忆阻器M2的忆阻值，从而改变输出电压的值。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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