发明专利已授权

一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法

📄 申请号：CN202310231436.0 📄 发布日：2026/05/21

著录项目信息

申请日

2023-03-10

公开号

CN116230470B

公开日

2025-11-21

申请人

江苏师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01J9_02

IPC 分类号

H01J9_02 , H01J1_304 , C01B32_956 , C23C16_40 , C23C16_44 ,

技术画像

所属领域

碳化硅材料碳化硅材料场发射阴极材料晶体阵列生长

应用场景

场发射显示器, 电子源器件, 真空微电子器件, 半导体器件, 平板显示

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摘要

本发明公开了一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法，将生长有三棱柱状SiC纳米线的碳纤维布覆盖在装有CoCl2粉末的石英舟上方，利用化学气相沉积的方法，在管式炉中实现基体三棱柱状SiC纳米线表面沉积催化剂CoO，然后对获得的碳纤维布衬底进行第二次高温热解处理，得到生长有SiC枝晶阵列的碳纤维布，作为场发射器阴极材料。本发明首次利用定向生长的高密度SiC枝晶阵列作为场发射阴极材料，能够在降低电子发射开启电场的同时获得稳定的发射电流，表现出优异的场发射性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种能够实现分频和/或分束的拓扑光波导器件及其应用

当前第 / 件

一种高石墨化多孔活性炭材料及其制备方法与应用

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