本发明公开了一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法，包括以下步骤：(1)在硅基底上沉积金属导电层；(2)在金属导电层上附着AAO模板；(3)在金属导电层暴露的表面沉积得到金属催化点阵；(4)移除AAO模板，利用CVD技术在金属催化点阵上生长垂直石墨烯阵列，得阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极。本发明制备工艺简单，可大面积制备，得到的阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极开启电场低，场屏蔽效应小，电流密度较大，发射稳定性高。
📄 2021111269153
📂 H01J9_02
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-09-26
本发明公开了一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法，将生长有三棱柱状SiC纳米线的碳纤维布覆盖在装有CoCl2粉末的石英舟上方，利用化学气相沉积的方法，在管式炉中实现基体三棱柱状SiC纳米线表面沉积催化剂CoO，然后对获得的碳纤维布衬底进行第二次高温热解处理，得到生长有SiC枝晶阵列的碳纤维布，作为场发射器阴极材料。本发明首次利用定向生长的高密度SiC枝晶阵列作为场发射阴极材料，能够在降低电子发射开启电场的同时获得稳定的发射电流，表现出优异的场发射性能。
📄 2023102314360
📂 H01J9_02
👤 江苏师范大学
📅 2023-03-10
本发明属于场发射冷阴极领域，提供了一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其主要特征是在耐高温透明柔性基底上，基于超薄多孔氧化铝(AAO)模板以及真空物理沉积技术，实现在柔性及透光性良好的基底上的场发射冷阴极材料的制备。该制备方法主要包括4部分，(1)在柔性透明基底上沉积导电透明金膜；(2)在沉积金膜的基底上附着AAO模板；(3)利用真空物理沉积技术制备得spindt型金属阵列；(4)去除AAO模板。本发明的柔性透明场发射冷阴极制备方法简单、成本低、可进行大面积制备，在柔性平板显示器等领域中有广泛的应用前景。
📄 2020115930916
📂 H01J9_02
👤 杭州电子科技大学
📅 2020-12-29
柿子坊 · 知识产权运营
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