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本发明涉及碳化硅制备技术领域，尤其涉及一种高纯碳化硅材料的制备方法。其以稻壳为原料，包括以下步骤：稻壳预处理，将稻壳依次以水、丙酮、乙醇浸泡，分别浸泡4~8h，然后于110-130℃下烘干11-13h，烘干后磨碎并均匀分散于水热釜；于水热釜加入体积为水热釜容积30%~60%的乙醇，并将水热釜置于150~200℃下8~12h，然后过滤并洗涤固体物，并将固体物于80~120℃下干燥4~8h得到预处理后的稻壳产物；一次碳化；除杂活化，将得到的产物与固体碱和去离子水以1：（2~5）：50的质量比混合后搅拌23~25h，然后于80~100℃下干燥11~13h，蒸发掉75~85%的去离子水；二次碳化；酸洗除杂；硅化；产品除杂。通过本发明的方法可简单、有效、节能地制备得到高纯度碳化硅。

本发明属于碳化硅制备技术领域，具体涉及一种碳化硅粉体的常温制备方法。所述碳化硅粉体制备方法是以硅化镁和温室气体CO2为原料，在惰性气体保护下，将硅化镁置于密封球磨罐中，抽真空，通入5‑60bar压力的CO2气体，在室温条件下，以300‑1000r/min的转速，球磨反应6‑60小时。待反应结束后，将固体产物从球磨罐中取出并用酸性物质浸泡、过滤、洗涤、干燥，即可得到碳化硅材料。本发明方法制备工艺简单、成本低、无环境污染、易于实现工业化生产。

本发明涉及一种碳化硅纳米纤维的制备方法，属于纳米结构材料的制备或处理技术领域。根据Ni的熔点选择激光工艺参数，设定预置微米碳化硅颗粒的厚度，进行激光辐照，并通氩气，保护在高温下碳化硅分解而不至于与氧发生反应；对激光照射微米碳化硅颗粒进行实验，以获取最优化的工艺参数范围，通过测试转变产物形貌和物相确定优化参数，找到激光工艺参数与微米碳化硅颗粒生成碳化硅纳米纤维之间的规律。将发明应用于碳化硅纳米纤维的指标，具有操作简单、微米碳化硅颗粒生成为碳化硅纳米纤维一次完成、不浪费，且节约人力物力等优点。

本发明公开了一种利用可再生资源或废弃物为碳源制备碳化硅纳米线的方法。将可再生资源或废弃物蓬松化处理得到蓬松均匀分布的预处理材料；置于裂解炉中，抽真空排除氧后通入氮气至常压，而后在高温下裂解获得蓬松均匀的碳材料；将含碳二氧化硅干凝胶粉置于坩埚底部，然后将碳材料放置于上部，盖上坩埚盖；将坩埚置于高温烧结炉内，后抽真空冲入氮气至压力，在高温下反应，反应结束后冷却得灰绿色的碳化硅纳米线产物；置于马弗炉内加热保温，除去残余的碳，获得碳化硅纳米线。本发明将废弃物变废为宝，成本低，工艺流程简单，易实现规模产业化制备，有利于减少碳排放，有利于环境保护，节约能源，具有重要的实际应用意义。

本发明公开了一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型‑碳化硅微纳粉体的方法。硅粉与可膨胀石墨按比例进行配料、混合均匀，获得混合原料；将混合原料通过坩埚以及由石墨纸、耐火棉、石墨粉组成的覆盖层埋碳封装；将埋碳后物料坩埚放入高温烧结炉中，高温发生碳热还原反应；待物料完全冷却后，将坩埚取出，去除覆盖层后得到碳化硅粉体，将碳化硅粉体放入马弗炉中在氧气氛围中高温煅烧；以球磨等方式进行分散；碳化硅粉体经酸洗、水洗后得到β型‑碳化硅微纳粉体。本发明采用高温埋碳碳热还原方式制备的β型‑碳化硅微纳粉体为微纳米级，一级粉体提纯细化后产率高，且工艺简单、成本低，适宜大规模工业化生产。

本发明公开了一种高密度SiC枝晶阵列场发射阴极材料及其制备方法，将生长有三棱柱状SiC纳米线的碳纤维布覆盖在装有CoCl2粉末的石英舟上方，利用化学气相沉积的方法，在管式炉中实现基体三棱柱状SiC纳米线表面沉积催化剂CoO，然后对获得的碳纤维布衬底进行第二次高温热解处理，得到生长有SiC枝晶阵列的碳纤维布，作为场发射器阴极材料。本发明首次利用定向生长的高密度SiC枝晶阵列作为场发射阴极材料，能够在降低电子发射开启电场的同时获得稳定的发射电流，表现出优异的场发射性能。