发明专利已授权

一种单晶硅刻蚀装置及刻蚀方法

Name: 一种单晶硅刻蚀装置及刻蚀方法
Brand: 江西钛创新能源科技有限公司
SKU: 202510231362X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202510231362.X 📄 发布日：2026/01/19

著录项目信息

申请日

2025-02-28

公开号

CN120060979B

公开日

2025-12-30

申请人

江西钛创新能源科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B33_10

IPC 分类号

C30B33_10 , C30B29_06 ,

技术画像

所属领域

半导体制造设备半导体制造设备刻蚀工艺单晶硅材料加工

应用场景

半导体晶圆加工, 集成电路制造, 芯片制造, 微机电系统, 光伏电池制造

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摘要

本发明公开了一种单晶硅刻蚀装置及刻蚀方法，包括主轴、刻蚀池池体，主轴能够沿自身轴线转动，主轴固定安装有套座，套座安装有轴体，轴体能够沿自身轴线转动且能够绕主轴轴线转动，轴体固定安装有连接座，连接座与轴体同轴设置，连接座固定安装有料座，料座能够绕连接座轴线转动，料座插入连接座，料座设有槽体一，槽体一位于料座远离连接座一侧，料座还设有孔道一，孔道一与槽体一连通，轴体固定安装有扇叶，扇叶转动以使流体流向孔道一。本发明提供一种单晶硅刻蚀装置及刻蚀方法，提高刻蚀效率，减少污染。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN120060979B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：158 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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