发明专利 已授权

一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法

📄 申请号:CN201810819083.5 📄 发布日:2026/09/07

著录项目信息

申请日
2018-07-24
公开号
CN108922965B
公开日
2020-01-31
申请人
湖北大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

数据存储, 非易失性存储, 存算一体, 电子设备, 半导体芯片

摘要

本发明公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底,其中:所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素,所述的卤化物钙钛矿层材料的分子通式为ABX3,其中:A=CH3NH3或Cs;B=Pb;X=Cl,Br或I。本发明仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜,同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素,使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高,器件功耗显著减低。另外,本发明原料来源广泛,成本低,制备工艺简单,有利于产业化应用,具有良好的市场应用前景。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L51_05)

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