发明专利 已授权

一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法

📄 申请号:CN201810819082.0 📄 发布日:2026/09/07

著录项目信息

申请日
2018-07-24
公开号
CN108922962A
公开日
2018-11-30
申请人
湖北大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

非易失性存储, 数据存储, 集成电路, 电子器件

摘要

本发明公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器,从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底,其中:所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本发明的阻变存储器,结构简单,保持了传统阻变存储器的构造,不需要增加额外的结构层,仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素,使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高,极大地降低了器件功耗,同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外,本发明的阻变存储器制备成本低,工艺简单,易操作,有利于产业化应用,具有良好的市场应用前景。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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