发明专利已授权

一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法

📄 申请号：CN201810819082.0 📄 发布日：2026/05/08

著录项目信息

申请日

2018-07-24

公开号

CN108922962A

公开日

2018-11-30

申请人

湖北大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

阻变存储器阻变存储器钙钛矿材料半导体器件

应用场景

非易失性存储, 数据存储, 集成电路, 电子器件

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摘要

本发明公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本发明的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性。另外，本发明的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种物料圆度自动化挑选装置

当前第 / 件

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