发明专利 已授权

一种大面积金红石相 SnO2 薄膜的低温制备方法及其应用

📄 申请号:CN201810195305.0 📄 发布日:2026/09/07

著录项目信息

申请日
2018-03-09
公开号
CN108389971B
公开日
2021-08-10
申请人
湖北大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

气体传感器, 太阳能电池, 透明导电电极, 光电探测器, 显示器件

摘要

本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M~0.7M的四氯化锡溶液中,用70℃水浴2h后,再在70~200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单,成本低,副产品少,对环境污染小,且制得的SnO2薄膜均匀致密,结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层,可明显提升电池的短路电流,电池的光电转换效率可以达到10%以上,因此,本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景,可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。

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